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1 µm 공정
반도체
소자
제조
MOSFET 스케일링
(공정 노드)
0
10 µm
– 1971
00
6 µm – 1974
00
3 µm
– 1977
1.5 µm
– 1981
00
1 µm
– 1984
800 nm
– 1987
600 nm
– 1990
350 nm
– 1993
250 nm
– 1996
180 nm
– 1999
130 nm
– 2001
0
90 nm
– 2003
0
65 nm
– 2005
0
45 nm
– 2007
0
32 nm
– 2009
0
22 nm
– 2012
0
14 nm
– 2014
0
10 nm – 2016
00
7 nm
– 2018
00
5 nm
– 2020
00
3 nm – 2022
미래
00
2 nm – 2024
하프 노드
집적도
CMOS
소자
(멀티게이트)
무어의 법칙
반도체
산업
나노전자
v
•
d
•
e
•
h
1 µm(
마이크로미터
) 공정
은 회로선 폭이 1 µm인 반도체를 다루는 공정 기술 수준이다. 1985년 경
인텔
,
IBM
과 같은 반도체 회사가 달성하였다.
1.0 마이크로미터 제조 공정을 적용한 제품
1985년
출시된
인텔 80386
CPU
는 이 공정으로 만들어졌다.
이 글은 기술에 관한
토막글
입니다. 여러분의 지식으로 알차게
문서를 완성해
갑시다.